Le caratteristiche principali di wafer o foglio di ceramica in AlN
1. Elevata conducibilità termica (170 ~220) W/m.k, è 5~8.5 volte superiore a quella dell'allumina
Coefficiente di espansione termica simile a quello del silicio (si), contribuisce a ottenere un'elevata affidabilità del chip di si
Resistenza di isolamento e resistenza di tensione elevate, ma bassa costante dielettrica e perdita dielettrica
4. Elevata resistenza meccanica, fino a 450 MPa e corpo in ceramica molto densa privo di porosità
5. Offre una purezza molto elevata fino al 99%, è inoltre esente da tossicità e soddisfa la normativa RoHS, REACH

La descrizione di un wafer o foglio ceramico di AlN
Le parti in ceramica con nitruro di alluminio possiedono un'elevata conducibilità termica di oltre 170 W/m. K, alta resistività, bassa perdita dielettrica, buon isolamento e altre eccellenti proprietà. La parte in ceramica ALN è la scelta migliore per un'ampia gamma di dissipatori di calore isolanti industriali di macchinari e apparecchiature ad alta potenza, come substrato di apparecchiature ad alta frequenza, substrato di moduli transistor ad alta potenza, circuiti ibridi ad alta densità, dispositivi di potenza a microonde, dispositivi a semiconduttore di potenza, dispositivi elettronici di potenza, Componenti optoelettronici, semiconduttori laser, LED, prodotti IC e così via.

Il substrato AlN può essere la soluzione migliore nelle applicazioni elettroniche in cui sono richieste condizioni rigorose, come moduli di potenza (MOSFET, IGBT), contenitori LED per circuiti di raffreddamento e protezione, contenitori e moduli.
 

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Nota:
Produciamo una selezione di wafer ceramici in diversi materiali, disegni personalizzati, tra cui wafer ceramici di allumina, wafer ceramici di zirconia, wafer ceramici di nitruro di silicio e wafer di carburo di silicio.

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